Dispersion de fabrication:
{"Image DocumentName": "Dispersion de fabrication:", "Image ImageDescription": "Circuit de polarisation de base (\u00e0 courant IB constant) IC. VCE. Q1. VCE1. IC1. Dispersion de fabrication: hFE mal d\u00e9fini. VCC. RC. RB. 2 transistors diff\u00e9rents. m\u00eame IB. Q2. VCE2. IC2. Cons\u00e9quence : D hFE \uf0de D Ic \uf0de D VCE. \uf0aeLe point de repos d\u00e9pend fortement de hFE = inconv\u00e9nient majeur. \uf0ae Circuit de polarisation peu utilis\u00e9. Le circuit de polarisation de base est un montage \u00ab \u00e0 courant IB constant \u00bb, puisque c\u2019est bien IB qui est fix\u00e9 par les \u00e9l\u00e9ments du circuits (RB et VCC). Les courants IE et IC qui en r\u00e9sultent d\u00e9pendent de la valeur du gain en courant, hFE. Bienque tr\u00e8s simple comme montage, il a le grand inconv\u00e9nient d\u2019avoir un point de fonctionnement des caract\u00e9ristiques de sortie (IC,VCE) qui d\u00e9pend de hFE. Vue l\u2019incertitude sur ce param\u00e8tre (caus\u00e9e par la dispersion de fabrication), ce montage de polarisation n\u2019est que tr\u00e8s rarement utilis\u00e9 pour placer le transistor en mode actif. Ce circuit est en outre instable vis-\u00e0-vis d\u2019une variation en temp\u00e9rature. En effet, si la temp\u00e9rature augmente, la caract\u00e9ristique IB(VBE) se d\u00e9cale vers les courants plus \u00e9lev\u00e9s. La droite de charge \u00e9tant fixe, le courant IB augmentera en cons\u00e9quence. Il en d\u00e9coule une augmentation de IC qui elle peut \u00e0 son tour provoquer une augmentation en temp\u00e9rature du transistor et ainsi de suite , d\u2019o\u00f9 une d\u00e9rive \u00ab thermique \u00bb du point de fonctionnement. Par contre, pour placer le transistor en mode satur\u00e9 ou bloqu\u00e9, la valeur exacte de hFE est moins critique et ce montage pourrait remplir sa fonction. Par exemple, pour placer le transistor en mode satur\u00e9 (interrupteur ferm\u00e9\u2026) il suffit de concevoir le montage avec la plus faible valeur de hFE , garantie par le constructeur. Toute valeur sup\u00e9rieure de hFE placera le transistor dans le m\u00eame \u00e9tat. Exemple : Transistor en mode satur\u00e9 \uf0ab RB tel que. en prenant pour hFE la valeur minimale garantie par le constructeur.", "Image XResolution": "37", "Image YResolution": "37", "Image ResolutionUnit": "Pixels/Centimeter", "Image Software": "SlidePlayer", "Image YCbCrPositioning": "Centered"}